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多晶硅破碎污染杂质纯度
多晶硅破碎污染杂质纯度
2022-06-06T22:06:58+00:00
多晶硅生产工艺 知乎
网页2022年8月31日 通过这种方法得到的硅的纯度可以达到998%，在很大程度上避免了B、P等杂质对硅的污染，极大地提高了多晶硅的纯度 这种制备多晶硅的方式与西门子法相比，减少了硅棒破碎的过程。 与流化床法相比，有效地解决了反应器壁沉积的问题，促使 网页多晶硅中的金属杂质主要来源有两种,一种是原料带来的,一种是由于铸造过程中的坩埚污染造成的。其中,原料多晶硅中的金属杂质含量占主要部分。多晶硅的金属杂质包括表金属杂质和体金属杂质。 体金属主要来源于生产多晶硅产品的物料,容易通过精馏 多晶硅生产过程金属杂质影响因素研究《天津大学》2016年
多晶硅行业研究：产业链、生产、共给、需求分析多晶硅需求
网页2022年7月22日 太阳能级多晶硅的纯度为 6~8N，即要求杂质总含量低于10 6，多晶硅的纯度需达到 999999%以上。而电子级多晶硅纯度要求更为严格，最低为9N，目前最高可达 12N。电子级多晶硅生产难度较大，国内掌握电子级多晶硅生产技术的企业较少，仍较为依赖 网页2021年10月9日 542 经过蚀刻的多晶硅的外观应无色斑、变色及可见的污染物。 543 如对多晶硅的外观质量有其他要求，由供需双方协商确定。 6 试验方法 61 对多晶硅进行施主杂质浓度、受主杂质浓度、少数载流子寿命、碳浓度、氧浓度、导电类型、电 中华人民共和国国家标准
多晶硅中杂质含量分布及其检测方法的探讨百度文库
网页要实现微量杂质的脱除， 首先就有必要对其 确定杂质的组成和含 中所含的微量杂质进行分析， 密度及重复性。 质谱法用于检测多晶硅中杂质含 量的方法主要包括 4 种： 辉光放电质谱法 （ GDMS ） 、 MS ） 、 电感耦合等离子体质谱法 （ ICP激光电离质谱 GDMS 与 网页2011年5月18日 多晶硅的纯度会直接影响到太阳电池的转换效率及电池寿命。 多晶硅生产中的主要杂质有Fe、Ni、Cu、Zn、Al、Ga、B、P、Cr、C等，其中B、P杂质是生产中很难去除的两种杂质，这两种杂质残留在多晶硅中会作为复合中心降低少数载流子寿命，影响太阳 太阳能级多晶硅中B、P杂质的危害及去除 百度文库
多晶硅定向凝固过程中金属杂质的分凝及去除研究 CNKI
网页多晶硅定向凝固过程中协同调控杂质的分凝和杂质挥发,A1和Ca杂质的有效分凝系数分别为锄=121×l03和keff=569×103,提纯区域多晶硅的A1和Ca的杂质含量分别为060 ppmw和175 ppmw,突破了平衡分凝系数去除的极限,得到了更好的分凝效果。网页2012年3月27日 1多晶硅的生产工艺：从西门子法到改良西门子法从西门子法到改良西门子法的演进是一个从开环到闭环的过程。1955年，德国西门子开发出以氢气（H2）还原高纯度三氯氢硅（SiHCl3），在加热到1100℃左右的硅芯（也称“硅棒”）上沉积多晶硅的生产工艺；1957年，这种多晶硅生产工艺开始应用于多晶硅研究系列1：三大生产工艺的比较 1多晶硅的生产工艺
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