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如何去除石墨表面的多晶硅
如何去除石墨表面的多晶硅
2021-10-22T09:10:57+00:00
一种PECVD镀多晶硅用石墨舟的清洗方法英利能源发展
网页2023年2月14日 本发明提供的清洗方法，通过水汽氧化使石墨舟表面沉积的多晶硅完全转化为氧化硅，后续利用氢氟酸单一溶液进行酸洗，就可完全去除石墨舟表面沉积的多晶硅，且整个清洗工艺简单，清洗效率高，不会产生混酸和含氮酸溶液，经济效益和环境效益显著，具有网页2013年5月1日 一种去除多晶硅中金属杂质的方法，包括如下步骤：（1）将原料硅在石墨坩埚中熔化；（2）将石墨板放置于熔融硅液的表面上，石墨板与外界直流电压的负极相接，石墨坩埚与外界直流电压的正极相接，所施加的直流电压为10～100V；（3）通电2～4h后，在 一种去除多晶硅中金属杂质的方法以及装置百度文库
多晶硅清洗方法百度文库
网页2011年11月23日 采用纯水对所述多晶硅进行第二次漂洗。本发明所提供的多晶硅清洗方法，不仅能够去除多晶硅表面的 绝大部分杂质，而且还能去除多晶硅表面的油污和手印等有机物，从而可使清洗后的多晶硅表面的清洁度达到要求。 说明书 多晶硅清洗方法的 网页2022年8月31日 这种多晶硅制备方法经过Sintef公司改进后，生产过程如下：在离子回转炉中通过C对SiO2进行还原，得到产物SiC，再将SiC投入到电弧炉中继续和SiO2反应，可以得到液态的硅。 实验表明，这种液态硅中杂质含量非常少，几乎只有C这一种杂质。 为了去除液态硅中的C 多晶硅生产工艺 知乎
多晶硅生产工艺——最全，供收藏！ 中国粉体网
网页2022年8月29日 这种多晶硅制备方法经过Sintef公司改进后，生产过程如下：在离子 回转炉 中通过C对SiO 2 进行还原，得到产物SiC，再将SiC投入到电弧炉中继续和SiO 2 反应，可以得到液态的硅。 实验表明，这种液态硅中杂质含量非常少，几乎只有C这一种杂质。 为了去 网页2021年1月26日 而我们的衣物如果不小心粘上石墨粉，是特别难清洗干净的，那怎么清洗石墨粉呢？ 石墨在比重为19`23在隔绝氧气条件下，熔点在3000℃以上，沸点为4250℃。 石墨强度会随温度提高而加强，当温度达到2000℃时，石墨强度会提高一倍。 鳞片石墨粉还具 清洗石墨粉的方法 百家号
半导体原材料到抛光晶片的工艺流程 知乎
网页2023年4月17日 本文将介绍如何从原材料到抛光 晶片的 过程。首 切换模式 写文章 登录/注册 半导体原材料到抛光晶片的工艺流程 和甘油的混合液对晶片的两面进行研磨，一般研磨到2um的平坦度。(这个过程可能会对晶片的表面和边缘带来污染和损伤，一般 网页2012年4月11日 本发明涉及一种电场定向凝固提纯多晶硅的制备方法。其包括以下步骤：把硅料加入封密式提纯炉石墨坩锅内，净化封密式提纯炉，加热器加热熔融封密式提纯炉石墨坩锅内的硅料，硅料完全溶化并保温；对石墨坩锅内的呈完全熔融状态的硅料施加电场，在电场作用的同时加热器继续保温，2－6小时 一种电场定向凝固提纯多晶硅的制备方法技术，多晶硅提纯
热压烧结样品表面的石墨纸如何去除？ 非金属 小木虫
网页2011年10月19日 热压烧结样品表面的那层石墨纸如何 才能处理掉？哪位有经验的童鞋知道啊，谢了！ 小木虫 登陆 注册 首页 磨吧，化学方法去掉石墨还是有难度的 ，不知道你的样品成分，所以不好选。不建议烧，烧的话会影响你的样品表面碳含量损失 网页2 天之前 在塑性阶段，烘烤过的石墨还将经过40米长的电加热管道，并成为直径2厘米的砾石长条。最后，长条经过研磨去除表面残留的铁才能成为合格的负极材料。据悉，POSCO Future M负极材料厂每年可生产天然石墨负极材料74万吨。（中国粉体网编辑整理/文正）浦项制铁电池材料公司拟降低对中国石墨材料的依赖 中国
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