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磨削碳化硅生产技术
磨削碳化硅生产技术
2020-01-12T23:01:53+00:00
碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 知乎
网页2021年12月16日 摘 要:碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性，传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理，指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。网页2020年12月8日 [1] 因此，SiC晶体材料已经成为半导体照明技术领域不可缺少的衬底材料。 其中，SiC衬底加工技术是器件制作的重要基础，其表面加工的质量和精度的优劣，直接影响外延薄膜的质量及其器件的性能，因此在其应用中均要求晶片表面超光滑、无缺陷、无损伤，表面粗糙度值达纳米级以下。工艺详解碳化硅晶片的工艺流程 知乎
碳化硅 ~ 制备难点 知乎
网页2023年3月13日 除了技术门槛外，若需要把一条 150mm 的硅制造生产线转化为碳化硅生产线，费用大约为 2000 万美元，资金投入也是碳化硅晶圆建设的难点之一。 目前，除了接近碳化硅晶圆制造中的工艺问题外，设计和工艺高度耦合的器件结构—— 平面与沟槽，也同样是产业内重点关注的方向。网页2022年10月28日 碳化硅单晶衬底切、磨、抛材料整体解决方案 半导体产业是现代科技发展的原始驱动力，代表一个国家科学技术发展最高水平。 代Si基半导体产业在过去半个多世纪引领发达国家经济高速发展，构建了坚实的规模与技术壁垒，中国在过去十几年奋起直追 碳化硅单晶衬底切、磨、抛材料整体解决方案发展加工的表面
碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星 知乎
网页2023年4月17日 许多 国外企业采用更为先进的激光切割和冷分离技术提高切片效率，如 2016 年 DISCO 开发的 激光切片技术不用经历研磨过程，仅需 10 分钟就能切出一片 6 英寸碳化硅晶圆，生产效率 提升 35 倍。碳化硅切片的薄化主要通过磨削与研磨实现，但碳化硅 网页生产碳化硅单晶衬底的关键步骤是晶体生长，也是碳化硅 半导体材料应用的主要技术难点，是产业链中技术密集型和资金密集型 的环节。 SiC 单晶生长方法主要有：物理气相传输法（PVT)、高温化学 气相沉积法（HTCVD)和以顶部籽晶溶液生长法(TSSG)为主流的高温溶 液生长法（HTSG）。碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速
碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势综述——浙大科创
网页2022年10月10日 碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性，传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理，指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。网页2018年10月8日 碳化硅 (SiC)陶瓷材料具有高硬度、高耐磨性、耐腐蚀、耐高温、密度低和导热性好等优良性能，广泛应用于航空航天、机械制造、汽车零部件和国防军工等领域。 目前，利用金刚石砂轮磨削加工碳化硅是应用较为广泛的一种加工方法，国内磨削加工主要进行 碳化硅陶瓷高效端面磨削试验研究金属加工汽车制造网
碳化硅磨削微观损伤机理及其高性能磨削技术研究《东华大学
网页1 吴重军;碳化硅磨削微观损伤机理及其高性能磨削技术研究[D];东华大学;2017年 2 田霖;基于磨粒有序排布砂轮的高速磨削基础研究[D];南京航空航天大学;2013年 3 杨寿智;凸轮轴高速磨削加工质量影响因素分析及关键技术研究[D];湖南大学;2016年 4 孟广耀;微量润滑高速磨削若干基础研究[D];青岛理工大学;2012年网页2018年10月12日 本文采用金刚石砂轮对 碳化硅陶瓷 进行端面磨削正交试验研究，试验参数选用低进给速度和大磨削深度，探究了不同磨削参数对磨削力和磨削面质量的影响规律，分析了磨削表面的损伤形式，进一步验证了碳化硅陶瓷磨削加工材料去除机理，对碳化硅磨削加工 碳化硅陶瓷高效端面磨削试验研究技术磨料磨具网磨料磨具
碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 知乎
网页2021年12月16日 摘 要:碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性，传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理，指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。网页2020年12月8日 [1] 因此，SiC晶体材料已经成为半导体照明技术领域不可缺少的衬底材料。 其中，SiC衬底加工技术是器件制作的重要基础，其表面加工的质量和精度的优劣，直接影响外延薄膜的质量及其器件的性能，因此在其应用中均要求晶片表面超光滑、无缺陷、无损伤，表面粗糙度值达纳米级以下。工艺详解碳化硅晶片的工艺流程 知乎
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网页2023年3月13日 除了技术门槛外，若需要把一条 150mm 的硅制造生产线转化为碳化硅生产线，费用大约为 2000 万美元，资金投入也是碳化硅晶圆建设的难点之一。 目前，除了接近碳化硅晶圆制造中的工艺问题外，设计和工艺高度耦合的器件结构—— 平面与沟槽，也同样是产业内重点关注的方向。网页2022年10月28日 碳化硅单晶衬底切、磨、抛材料整体解决方案 半导体产业是现代科技发展的原始驱动力，代表一个国家科学技术发展最高水平。 代Si基半导体产业在过去半个多世纪引领发达国家经济高速发展，构建了坚实的规模与技术壁垒，中国在过去十几年奋起直追 碳化硅单晶衬底切、磨、抛材料整体解决方案发展加工的表面
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网页2023年4月17日 许多 国外企业采用更为先进的激光切割和冷分离技术提高切片效率，如 2016 年 DISCO 开发的 激光切片技术不用经历研磨过程，仅需 10 分钟就能切出一片 6 英寸碳化硅晶圆，生产效率 提升 35 倍。碳化硅切片的薄化主要通过磨削与研磨实现，但碳化硅 网页生产碳化硅单晶衬底的关键步骤是晶体生长，也是碳化硅 半导体材料应用的主要技术难点，是产业链中技术密集型和资金密集型 的环节。 SiC 单晶生长方法主要有：物理气相传输法（PVT)、高温化学 气相沉积法（HTCVD)和以顶部籽晶溶液生长法(TSSG)为主流的高温溶 液生长法（HTSG）。碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速
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网页2022年10月10日 碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性，传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理，指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。网页2018年10月8日 碳化硅 (SiC)陶瓷材料具有高硬度、高耐磨性、耐腐蚀、耐高温、密度低和导热性好等优良性能，广泛应用于航空航天、机械制造、汽车零部件和国防军工等领域。 目前，利用金刚石砂轮磨削加工碳化硅是应用较为广泛的一种加工方法，国内磨削加工主要进行 碳化硅陶瓷高效端面磨削试验研究金属加工汽车制造网
碳化硅磨削微观损伤机理及其高性能磨削技术研究《东华大学
网页1 吴重军;碳化硅磨削微观损伤机理及其高性能磨削技术研究[D];东华大学;2017年 2 田霖;基于磨粒有序排布砂轮的高速磨削基础研究[D];南京航空航天大学;2013年 3 杨寿智;凸轮轴高速磨削加工质量影响因素分析及关键技术研究[D];湖南大学;2016年 4 孟广耀;微量润滑高速磨削若干基础研究[D];青岛理工大学;2012年网页2018年10月12日 本文采用金刚石砂轮对 碳化硅陶瓷 进行端面磨削正交试验研究，试验参数选用低进给速度和大磨削深度，探究了不同磨削参数对磨削力和磨削面质量的影响规律，分析了磨削表面的损伤形式，进一步验证了碳化硅陶瓷磨削加工材料去除机理，对碳化硅磨削加工 碳化硅陶瓷高效端面磨削试验研究技术磨料磨具网磨料磨具
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网页2022年10月10日 碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性，传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理，指出了加工过程中的关键影响因素和未来发展趋势。网页2018年10月8日 碳化硅 (SiC)陶瓷材料具有高硬度、高耐磨性、耐腐蚀、耐高温、密度低和导热性好等优良性能，广泛应用于航空航天、机械制造、汽车零部件和国防军工等领域。 目前，利用金刚石砂轮磨削加工碳化硅是应用较为广泛的一种加工方法，国内磨削加工主要进行 碳化硅陶瓷高效端面磨削试验研究金属加工汽车制造网
碳化硅磨削微观损伤机理及其高性能磨削技术研究《东华大学
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