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石墨坩生产技术
石墨坩生产技术
2023-05-26T18:05:36+00:00
石墨坩埚详解在这里 知乎
网页2020年4月23日 石墨坩埚以其优异的性能，广泛应用于冶金、铸造、机械、化工等行业的合金钢、有色金属及其合金的冶炼。取得了良好的技术经济效果。目前，我国石墨坩埚的生产技术水平已经达到甚至超过了进口坩埚的水平。优质家用坩埚具有以下特点：网页2016年8月30日 本文介绍了石墨坩埚的生产技术,工艺成型方法、工艺流程以及涂抽烧成等生产过程的要求及注意率项,进行了分析。石墨坩埚是现代冶金业不可缺少的工具之一。尤其是冶炼特种钢和有色金属及其合金时,仍需采用石墨坩埚。钳祸可分成三大类:金属钳祸、粘土坩 不同石墨坩埚型号生产技术
石墨坩埚生产工艺概述 百度文库
网页石墨坩埚生产工艺概述 坩埚的成型，有三种方法，较原始古老的成型方法是手塑成型。 第二种是旋 塑成型法 第三种是压型成型法 f 石墨坩埚的主体原料，是结晶形天然石墨。 故它保持着天然右墨原有的各种 理化特性。 即：具有良好的热导性和耐高温性 网页2019年11月8日 等静压石墨的生产 工艺 等静压石墨的生产工艺流程如图1所示。很显然，等静压石墨的生产工艺与石墨电极不同。等静压石墨需要结构上各向同性的原料，需要将原料磨制成更细的粉末，需要应用冷等静压成型技术，焙烧周期非常长，为了达到 干货：等静压石墨的生产工艺、主要用途 知乎
锂电负极石墨化新工艺推广，一体化布局企业将占得先机坩埚
网页2021年8月7日 连续石墨化一般是指生产中没有断电的过程，石墨化的产品需要经过一系列的温区，从而实现连续石墨化。目前贝特瑞、山河智能等企业开始尝试连续法工艺。 12 不同工艺的性能对比 坩埚法是目前的主流路线。目前，我国炭素厂商及负极厂商普遍使用的是坩埚网页2019年6月24日 国产石墨坩埚的生产技术水平已经达到甚至超过进口坩埚，优质的国产坩埚具有以下特点：1、石墨坩埚高的密度使得坩埚具备了最好的导热性能，其导热效果明显优于其他进口坩埚； 2、石墨坩埚外表有特制的釉层和致密的成型材料，大大提高了产品的耐腐蚀性能，延长其使用寿命；石墨制品百科石墨坩埚的生产工艺是怎样的？
我国高纯石墨生产工艺技术现状及展望 科技发展 中国粉体
网页2014年5月23日 高纯石墨的主要生产工艺流程如图1 所示。很明显，高纯石墨的生产工艺与石墨电极的生产工艺不同。高纯石墨需要结构上各向同性的原料，需要将原料磨制成更细的粉末，需要应用等静压成型技术，焙烧周期长，为了达到所希望密度，需要多次的浸渍焙烧循环， 石墨化的周期也要比普通石墨长得多。网页1 天前 1本实用新型涉及石墨坩埚技术领域，具体涉及一种用于碳化硅生长单晶的石墨坩锅。背景技术： 2现有技术中，而碳化硅长晶过程中，会有部分碳化硅气体沿着生长台座壁生长成多晶碳化硅，若多晶碳化硅的生长速度大于单晶碳化硅的生长速度，极有可能会覆盖单晶碳化硅的生长区域，从而造成 用于碳化硅生长单晶的石墨坩锅的制作方法
【展商风采】坤鼎——拥有先进的石墨加工设备和精湛的生产
网页2023年4月24日 以"质量、信誉为本”为宗旨，以“高精度、高速度、高服务”为准则，以专业的技术人员、企业的管理人才、先进的石墨加工设备和精湛的生产技术为核心竞争力，可按照客户要求加工各种高难度产品，为客户提供从设计编程到机加工的一体化服务。 Q1 网页2 天之前 高纯石墨是属于高纯的金属和相关的半导体在生产方面会使用石墨，为了进一步的提高金属材料以及半导体的纯度，缩小其它材质的数量，所以就必须要求含碳量高了，并且含有低杂质的高纯石墨才能达到要求。接下小编就给大家普及一些高纯石墨的生产工艺。高纯石墨生产工艺详解技术内存溢出
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网页石墨坩埚生产工艺概述 坩埚的成型，有三种方法，较原始古老的成型方法是手塑成型。 第二种是旋 塑成型法 第三种是压型成型法 f 石墨坩埚的主体原料，是结晶形天然石墨。 故它保持着天然右墨原有的各种 理化特性。 即：具有良好的热导性和耐高温性 网页2019年11月8日 等静压石墨的生产 工艺 等静压石墨的生产工艺流程如图1所示。很显然，等静压石墨的生产工艺与石墨电极不同。等静压石墨需要结构上各向同性的原料，需要将原料磨制成更细的粉末，需要应用冷等静压成型技术，焙烧周期非常长，为了达到 干货：等静压石墨的生产工艺、主要用途 知乎
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网页2014年5月23日 高纯石墨的主要生产工艺流程如图1 所示。很明显，高纯石墨的生产工艺与石墨电极的生产工艺不同。高纯石墨需要结构上各向同性的原料，需要将原料磨制成更细的粉末，需要应用等静压成型技术，焙烧周期长，为了达到所希望密度，需要多次的浸渍焙烧循环， 石墨化的周期也要比普通石墨长得多。网页1 天前 1本实用新型涉及石墨坩埚技术领域，具体涉及一种用于碳化硅生长单晶的石墨坩锅。背景技术： 2现有技术中，而碳化硅长晶过程中，会有部分碳化硅气体沿着生长台座壁生长成多晶碳化硅，若多晶碳化硅的生长速度大于单晶碳化硅的生长速度，极有可能会覆盖单晶碳化硅的生长区域，从而造成 用于碳化硅生长单晶的石墨坩锅的制作方法
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